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在大尺度下，千伏通过SHG谱图或热水蒸汽刻蚀可以实现晶界的可视化。对于生长在a-Al2O3上的WS2薄膜，特高无论是SHG谱图(图1e,顶部)还是水蒸气刻蚀(图1f,顶部)都没有观察到边界。
值得注意的是，压交本工作制备的WS2/a-Al2O3具有高达55%(图2d、e)的旋光选择性，可与最好的片状剥离物相比。这些原子台阶边的设计是为了打破a面蓝宝石的C2对称性，流工引导WS2晶畴的单向对齐，用于单晶单层薄膜的外延生长(图1a)。速推相关论文以题为Dual-coupling-guidedepitaxialgrowthofwafer-scalesingle-crystalWS2monolayeronvicinala-planesapphire发表在naturenanotechnology上。
晶圆级二维TMD单晶在石墨烯之外的绝缘层和过渡金属表面hBN的成功生长，川渝程加为二维半导体在下一代集成光学和电子器件高端应用中提供了必要的基石。首先，千伏对球差校正后的TEM图像进行统计分析，发现生长的WS2性能较好，硫空位浓度为~0.05个/平方纳米，约为报道值的一半。
特高这种双耦合诱导生长机制原则上也应适用于在绝缘衬底上生长其他单晶TMD材料。
这里我们给出了在a-Al2O3上外延MoS2、压交WSe2和MoSe2的例子。在社交媒体上曾经流传着这样一个视频，流工美国街头一名成都小伙哭着指责外国女友：你根本不是喜欢我，你就是想让我带你回家看熊猫。
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